No Image

Транзистор 20n60c3 параметры и аналоги

СОДЕРЖАНИЕ
0 просмотров
11 марта 2020

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Все законы — имитация реальности.
Метазакон Лилли

Основные параметры транзистора HGTG20N60C3D (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGTG20N60C3D с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Pc max Uce max Ucesat Ucg max Ueg max Ic max Tj max, °C Fr (Ton/of) Cc tip
600V 45A 150°C

Производитель: INTERSIL
Сфера применения: UFS Series N-Channel IGBT
Популярность: 1500
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора HGTG20N60C3D

Общий вид транзистора HGTG20N60C3D. Цоколевка транзистора HGTG20N60C3D.

Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, C — коллектор, E — эмиттер.
Российское: З — затвор, К — коллектор, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора HGTG20N60C3D.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

20N60C3R — IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 164W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 34

20N60C3R Datasheet (PDF)

HGTG20N60C3R, HGTP20N60C3R, S E M I C O N D U C T O R HGT1S20N60C3R, HGT1S20N60C3RS 40A, 600V, Rugged UFS Series N-Channel IGBTs January 1997 Features Description • 40A, 600V TJ = 25oC This family of IGBTs was designed for optimum performance in the demanding world of motor control operation as well as • 600V Switching SOA Capability other high voltage switching applications. These

Читайте также:  220 Вольт интернет магазин красноярск

HGTG20N60C3R, HGTP20N60C3R, S E M I C O N D U C T O R HGT1S20N60C3R, HGT1S20N60C3RS 40A, 600V, Rugged UFS Series N-Channel IGBTs January 1997 Features Description • 40A, 600V TJ = 25oC This family of IGBTs was designed for optimum performance in the demanding world of motor control operation as well as • 600V Switching SOA Capability other high voltage switching applications. These

HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S Data Sheet December 2001 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT Features This family of MOS gated high voltage switching devices � 45A, 600V, TC = 25oC combining the best features of MOSFETs and bipolar � 600V Switching SOA Capability transistors. These devices have the high input impedance of � Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108n

SPP20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS� Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.19 ? � New revolutionary high voltage technology ID 20.7 A � Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 � Ultra low gate charge � Periodic avalanche rated 3 � Extreme dv/dt rated 2 1 P-TO220-3-31 � High peak current capability � Improved transconductance � PG-TO-22

VDS Tjmax ? � � G � � � � G-TO247

VDS Tjmax ? � G 3 � � � � � G

SPP20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS� Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.19 ? � New revolutionary high voltage technology ID 20.7 A � Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 � Ultra low gate charge � Periodic avalanche rated 3 � Extreme dv/dt rated 2 1 P-TO220-3-31 � High peak current capability � Improved transconductance � PG-TO-22

SPI20N60C3 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SPI20N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Читайте также:  Болезни и вредители бархатцев

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A

Общий заряд затвора (Qg): 87 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

Тип корпуса: I2PAK, TO262

SPI20N60C3 Datasheet (PDF)

SPP20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS� Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.19 ? � New revolutionary high voltage technology ID 20.7 A � Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 � Ultra low gate charge � Periodic avalanche rated 3 � Extreme dv/dt rated 2 1 P-TO220-3-31 � High peak current capability � Improved transconductance � PG-TO-22

SPP20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS� Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.19 ? � New revolutionary high voltage technology ID 20.7 A � Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 � Ultra low gate charge � Periodic avalanche rated 3 � Extreme dv/dt rated 2 1 P-TO220-3-31 � High peak current capability � Improved transconductance � PG-TO-22

SPI20N60CFD C??I MOS P?wer Transist?r VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.22 � New revolutionary high voltage technology ID 20.7 A � Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO262 � Ultra low gate charge � Periodic avalanche rated � Extreme dv/dt rated � High peak current capability � Intrinsic fast-recovery body diode � Extreme low reverse recovery charge Qualified for industrial grade

Комментировать
0 просмотров
Комментариев нет, будьте первым кто его оставит

Это интересно
Adblock detector